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SK海力士展示开发中的V10 NAND：375层之后，AI存储竞争为何转向分层内存
SK海力士在FMS 2026展示仍处于开发阶段的375层V10 4D NAND及样品，并计划于2027年上半年量产基于该介质的高性能eSSD。
标签: 存储芯片
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深度观察｜从奇梦达到长鑫：一场破产，怎样改写中国存储产业的入口
奇梦达破产不是中国DRAM产业故事的终点，而是一个入口。它留下的人才、研发体系、专利和工艺知识，被浪潮、西安华芯、紫光、合肥、兆易创新和长鑫存储在十年时间里重新接住、拆解和组合。长鑫真正证明的，不是“捡漏”可以成功，而是重资产半导体能力必须被组织起来。